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新闻中心 基本半导体SiC碳化硅MOSFET功率模块及分立器件,全力支持中国电力电子工业发展!
发布时间:2023-09-30 浏览次数:2 返回列表
作为应对这一设计挑战的解决方案,SiC MOSFET 具有更强的抗热失控能力。碳化硅 的导热性更好,可以实现更好的设备级散热和稳定的工作温度。SiC MOSFET 更适合较温暖的环境条件空间,例如汽车和工业应用。此外,鉴于其导热性,SiC MOSFET 可以消除对额外冷却系统的需求,从而有可能减小总体系统尺寸并降低系统成本。
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